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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: STA515 à STE53NC50 (Page 346 sur 485)

Circuit intégré STA515

STA515
30.63€ TTC
7 En stock
7 En stock

Circuit intégré STA515. QUAD POWER HALF BRIDGE. Tension maxi: 40V. Courant maxi: 3A. Boîtier: PSSO36. Résistance Drain-Source Rds(on): 200 mOhms.

 
 
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Circuit intégré STA515W

STA515W
32.76€ TTC
95 En stock
95 En stock

Circuit intégré STA515W. QUAD POWER HALF BRIDGE. Tension maxi: 40V. Courant maxi: 3A. Boîtier: PSSO36. Résistance Drain-Source Rds(on): 200 mOhms.

 
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Circuit intégré STA518

STA518
48.61€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré STA518. Quad Power Half Bridge 40V 3.5A

 
 
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Circuit intégré STA518A

STA518A
54.66€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré STA518A. QUAD POWER HALF BRIDGE. Tension maxi: 40V. Courant maxi: 3.5A. Boîtier: PSSO36. 24W x 4ch.

 
 
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Circuit intégré STA540

STA540
24.53€ TTC
24 En stock
24 En stock

Circuit intégré STA540. Amplificateur audio. Puissance de sortie: 4x13W. Boîtier: 15p. Charge de sortie: 4 Ohms - 8 Ohms. Constructeur: ST MICROELECTRONICS.

 
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Transistor STB120N4F6

STB120N4F6
8.12€ TTC
293 En stock
293 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 40V 80A/320Ap 110W 0.0035R. Constructeur: STMicroelectronics. Marquage boîtier: 120N4F6. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO263. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 80A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 80A. Id(imp): 320 Ap. Idss (min): 1 uA. Id

 
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Transistor STB12NM50ND

STB12NM50ND
13.22€ TTC
77 En stock
77 En stock

Transistor MOSFET canal N 550V 11A/44Ap 100W 0.29R (6.9A)

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor STD03N

STD03N
37.91€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN DARL 160V 15A 160W TO-3P 5p.. Constructeur: Sanken. Code constructeur: STD03N. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: MT-100 TO-3P-5. Transistor au silicium. 5-pin. Type de transistor: NPN. Vceo: 160V. Vcbo: 160. Vebo: 5V. Consommation 15A. Puissance: 160W. VCE(sat): 2V. HFE(min): 5000. HFE max.: 2000. Diode CE: No. Diode

 
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Transistor STD03N-STD03P

STD03N-STD03P
59.98€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistors complémentaires TO-3P 5p.. Constructeur: Sanken. Code constructeur: STD03N et STD03P. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: MT-100 TO-3P-5. Transistor au silicium. 5-pin. Type de transistor: NPN - PNP. Vceo: 160V. Vcbo: 160. Vebo: 5V. Consommation 15A. Puissance: 160W. VCE(sat): 2V. HFE(min): 5000. HFE max.: 2000. Diode CE

 
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Transistor STD03P

STD03P
37.91€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor PNP DARL 160V 15A 160W TO-3P 5p.. Constructeur: Sanken. Code constructeur: STD03P. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: MT-100 TO-3P-5. Transistor au silicium. 5-pin. Type de transistor: PNP. Vceo: 160V. Vcbo: 160. Vebo: 5V. Consommation 15A. Puissance: 160W. VCE(sat): 2V. HFE(min): 5000. HFE max.: 2000. Diode CE: No. Diode

 
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Transistor STD10NF10

STD10NF10
3.42€ TTC
107 En stock
107 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 100V 13A. Référence d'origine constructeur: STD10NF10T4. Marquage boîtier: D10NF10. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 13A. Puissance: 50W. Résistance Rds: 0.115 Ohms. Low gate charge STripFET II Power MOSFET.

 
 
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Transistor MOSFET canal-N STD10NM60N

STD10NM60N
5.66€ TTC
49 En stock
49 En stock

Transistor MOSFET canal-N SMD 650V 10A/32Ap 70W. Résistance passante RDSon : 0.53 Ohms (5A)

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P STD10P6F6

STD10P6F6
2.91€ TTC
58 En stock
58 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 60V 10A/40Ap. 35W. Résistance passante RDSon : 0.13 Ohms (7.2A)

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor STD10PF06

STD10PF06
5.15€ TTC
4 En stock
4 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 10A. Référence d'origine constructeur: STD10PF06T4. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 40W. Résistance Rds: 0.18 Ohms.

 
 
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Transistor MOSFET canal-N STD13NM60N

STD13NM60N
12.77€ TTC
30 En stock
30 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 650V 11A/44Ap 90W. Résistance passante RDSon : 0.36 Ohms

 
 
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Transistor STD3NK80Z-1

STD3NK80Z-1
4.03€ TTC
97 En stock
97 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 2.5A. Référence d'origine constructeur: STD3NK80Z-1. Marquage boîtier: D3NK80Z. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 3.8 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

 
 
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Transistor STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4
4.48€ TTC
415 En stock
415 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z CMS 800V 2.5A. Référence d'origine constructeur: STD3NK80ZT4. Marquage boîtier: D3NK80Z. Boîtier: TO-252 (D-Pak). Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 3.8 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

 
 
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Transistor STD4NK50ZT4

STD4NK50ZT4
4.03€ TTC
1134 En stock
1134 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 500V. Courant de drain maxi: 3A. Puissance: 45W. Rds<2.3 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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Transistor STD4NK60ZT4

STD4NK60ZT4
4.20€ TTC
484 En stock
484 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z CMS 600V 4A. Référence d'origine constructeur: STD4NK60ZT4. Marquage boîtier: D4NK60Z. Boîtier: TO-252(D-Pak). Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 1.76 Ohms. Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STD7NM60N

STD7NM60N
4.20€ TTC
117 En stock
117 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 600V 5A/20Ap 45W. Résistance passante RDSon : 0.84 Ohms (3A)

 
 
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Transistor STE53NC50

STE53NC50
75.04€ TTC
14 En stock
14 En stock

Transistor STE53NC50 N-MOS 500V 53A(puls.212A)460W 0.07R. PowerMesh II MOSFET. SMPS POWER MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: *ISOTOP*(SOT227B). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A

 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON